| 芬蘭PICOSUN™ R-200高***型 ALD
技術參數
襯底尺寸和類型 ：
。50-200 mm /單片
。156 mm x 156 mm太陽能硅片
。3D復雜表面襯底
。粉末與顆粒
。Roll-to-roll , 襯底寬 70 mm
。多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
工藝溫度： 50 - 500 °C , 可選更高溫度
基片傳送選件： 。氣動升降（手動裝載）
。預真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ）
。半自動裝載，用PICOPLATFORM™200集群系統實現
。25片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM™200集群系統實現
前驅體 ： 。液態、固態、氣態、臭氧源、等離子體（*多4路氣體）
。6根獨立源管線，*多加載12個前驅體源（加上Plasma管路，共7根獨立源管線）
重量 ：350 + 200 kg
尺寸 ：(W x H x D) 取決于選件
*小 ：146 cm x 146 cm x 84 cm
：189 cm x 206 cm x 111 cm
選件 ：集群工具，PICOFLOW™ 擴散增強器，集成橢偏儀，QCM，RGA，超高真空兼容，N2發生器，尾氣處理器，定制設計，手套箱集成（用于惰性氣體下裝載）
驗收標準 ：標準設備驗收標準為 Al2O3工藝
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滬公網安備31011502016460號
